TOPCon核心工艺
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TOPCon电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、BSG去除和背面刻蚀、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试分选，约12步左右，其中，钝化层薄膜沉积，即CVD，是核心工艺环节。
TOPCon工艺根据被钝化方式不同可分为LPCVD、
PECVD
、PEALD+PECVD、PCD POLY Si四种。
LPCVD是低压气相沉积，原理是将一种或者数种气态物质在较低压力下，用热激活能使其发生热分解反应，进而沉积在衬底表面形成所需薄膜；PECVD是等离子体增强气相沉积，借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体在局部形成等离子体，在基片上沉积出所需要的薄膜；PEALD+PECVD是等离子增强
原子层沉积
，该种方式结合了ALD和等离子体辅助沉积的优势；PVD是物理气相沉积，在真空条件下用物理的方法（真空溅射镀膜）使材料沉积在被镀工件上。
当前中来采用的POPAID就属于PVD沉积氧化硅和多晶硅膜技术，据其介绍，该种工艺解决了传统路线量产绕镀严重的问题。
LPCVD、PECVD、PEALD+PECVD、PVD polySi四种方式各有优劣，目前行业以LP为主流：
1）LPCVD：在效率、良率和产能方面有较大优势，目前GW级量产效率为24.9%，实验室效率为25.7%，良率为97%，成膜速率约5-8nm/min，单插4300pcs，双插8000pcs，但是存在石英寿命短、耗材大、
沉积速率
慢以及绕镀严重等问题，尚存改进空间；
2）PECVD：沉积速率高达16nm/min，绕镀轻微在2mm以内，易原位掺杂，设备投入成本低于LP路线，未来良率和效率数据验证后，有望规模化应用。基于PE路线深耕，捷佳伟创推出的三合一PE-poly设备深受市场关注；
3）其他路线：PEALD+PECVD法，使用PEALD沉积氧化硅可解决原有不均匀性问题；PVD法成膜速度快、无绕镀、利于薄片化和多功能升级，但设备价格较高、方阻均匀性差。
来源：广发证券
TOPCon电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、BSG去除和背面刻蚀、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试分选，约12步左右，其中，钝化层薄膜沉积，即CVD，是核心工艺环节。
TOPCon工艺根据被钝化方式不同可分为LPCVD、
PECVD
、PEALD+PECVD、PCD POLY Si四种。
LPCVD是低压气相沉积，原理是将一种或者数种气态物质在较低压力下，用热激活能使其发生热分解反应，进而沉积在衬底表面形成所需薄膜；PECVD是等离子体增强气相沉积，借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体在局部形成等离子体，在基片上沉积出所需要的薄膜；PEALD+PECVD是等离子增强
原子层沉积
，该种方式结合了ALD和等离子体辅助沉积的优势；PVD是物理气相沉积，在真空条件下用物理的方法（真空溅射镀膜）使材料沉积在被镀工件上。
当前中来采用的POPAID就属于PVD沉积氧化硅和多晶硅膜技术，据其介绍，该种工艺解决了传统路线量产绕镀严重的问题。
LPCVD、PECVD、PEALD+PECVD、PVD polySi四种方式各有优劣，目前行业以LP为主流：
1）LPCVD：在效率、良率和产能方面有较大优势，目前GW级量产效率为24.9%，实验室效率为25.7%，良率为97%，成膜速率约5-8nm/min，单插4300pcs，双插8000pcs，但是存在石英寿命短、耗材大、
沉积速率
慢以及绕镀严重等问题，尚存改进空间；
2）PECVD：沉积速率高达16nm/min，绕镀轻微在2mm以内，易原位掺杂，设备投入成本低于LP路线，未来良率和效率数据验证后，有望规模化应用。基于PE路线深耕，捷佳伟创推出的三合一PE-poly设备深受市场关注；
3）其他路线：PEALD+PECVD法，使用PEALD沉积氧化硅可解决原有不均匀性问题；PVD法成膜速度快、无绕镀、利于薄片化和多功能升级，但设备价格较高、方阻均匀性差。
来源：广发证券
TOPCon电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、BSG去除和背面刻蚀、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试分选，约12步左右，其中，钝化层薄膜沉积，即CVD，是核心工艺环节。
TOPCon工艺根据被钝化方式不同可分为LPCVD、
PECVD
、PEALD+PECVD、PCD POLY Si四种。
LPCVD是低压气相沉积，原理是将一种或者数种气态物质在较低压力下，用热激活能使其发生热分解反应，进而沉积在衬底表面形成所需薄膜；PECVD是等离子体增强气相沉积，借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体在局部形成等离子体，在基片上沉积出所需要的薄膜；PEALD+PECVD是等离子增强
原子层沉积
，该种方式结合了ALD和等离子体辅助沉积的优势；PVD是物理气相沉积，在真空条件下用物理的方法（真空溅射镀膜）使材料沉积在被镀工件上。
当前中来采用的POPAID就属于PVD沉积氧化硅和多晶硅膜技术，据其介绍，该种工艺解决了传统路线量产绕镀严重的问题。
LPCVD、PECVD、PEALD+PECVD、PVD polySi四种方式各有优劣，目前行业以LP为主流：
1）LPCVD：在效率、良率和产能方面有较大优势，目前GW级量产效率为24.9%，实验室效率为25.7%，良率为97%，成膜速率约5-8nm/min，单插4300pcs，双插8000pcs，但是存在石英寿命短、耗材大、
沉积速率
慢以及绕镀严重等问题，尚存改进空间；
2）PECVD：沉积速率高达16nm/min，绕镀轻微在2mm以内，易原位掺杂，设备投入成本低于LP路线，未来良率和效率数据验证后，有望规模化应用。基于PE路线深耕，捷佳伟创推出的三合一PE-poly设备深受市场关注；
3）其他路线：PEALD+PECVD法，使用PEALD沉积氧化硅可解决原有不均匀性问题；PVD法成膜速度快、无绕镀、利于薄片化和多功能升级，但设备价格较高、方阻均匀性差。
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TOPCon电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、BSG去除和背面刻蚀、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试分选，约12步左右，其中，钝化层薄膜沉积，即CVD，是核心工艺环节。
TOPCon工艺根据被钝化方式不同可分为LPCVD、 PECVD 、PEALD+PECVD、PCD POLY Si四种。
LPCVD是低压气相沉积，原理是将一种或者数种气态物质在较低压力下，用热激活能使其发生热分解反应，进而沉积在衬底表面形成所需薄膜；PECVD是等离子体增强气相沉积，借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体在局部形成等离子体，在基片上沉积出所需要的薄膜；PEALD+PECVD是等离子增强 原子层沉积 ，该种方式结合了ALD和等离子体辅助沉积的优势；PVD是物理气相沉积，在真空条件下用物理的方法（真空溅射镀膜）使材料沉积在被镀工件上。
当前中来采用的POPAID就属于PVD沉积氧化硅和多晶硅膜技术，据其介绍，该种工艺解决了传统路线量产绕镀严重的问题。
LPCVD、PECVD、PEALD+PECVD、PVD polySi四种方式各有优劣，目前行业以LP为主流：
1）LPCVD：在效率、良率和产能方面有较大优势，目前GW级量产效率为24.9%，实验室效率为25.7%，良率为97%，成膜速率约5-8nm/min，单插4300pcs，双插8000pcs，但是存在石英寿命短、耗材大、 沉积速率 慢以及绕镀严重等问题，尚存改进空间；
2）PECVD：沉积速率高达16nm/min，绕镀轻微在2mm以内，易原位掺杂，设备投入成本低于LP路线，未来良率和效率数据验证后，有望规模化应用。基于PE路线深耕，捷佳伟创推出的三合一PE-poly设备深受市场关注；
3）其他路线：PEALD+PECVD法，使用PEALD沉积氧化硅可解决原有不均匀性问题；PVD法成膜速度快、无绕镀、利于薄片化和多功能升级，但设备价格较高、方阻均匀性差。
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