自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究

期刊名字：中国激光
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论文作者：邹睿，林理彬，张猛，张国庆，李永贵
作者单位：四川大学物理系,中国科学院高能物理所
更新时间：2023-03-25
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论文简介

利用低温光荧光谱研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响.用波长为8.92 μm,光功率密度相应于电场强度为20 kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60 min,发现量子阱特征峰797 nm经过辐照后峰值发生红移至812 nm,波形展宽,峰高降低.对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较.

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自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究

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