半导体ZnO亚微米钉的合成与表征

期刊名字：稀有金属材料与工程
文件大小：
论文作者：武祥，隋解和，蔡伟
作者单位：哈尔滨工业大学
更新时间：2023-03-25
下载次数：次

论文简介

使用热蒸发法合成了一种亚微米级的钉状结构ZnO.扫描电镜和X射线衍射分析表明:使用这种方法合成的钉状ZnO具有六方纤锌矿结构;ZnO亚微米钉结构的杆部直径范围在200～400 nm之间, 底座部分的直径一般大于400 nm,有些甚至大到微米级;由于没有使用催化剂,因此推测这种ZnO亚微米钉的生长过程很可能遵循气-固生长机制.此外,还研究了这种ZnO亚微米钉结构的发光特性.

论文截图

上一条：半导体激光夜视图像处理技术研究

下一条：半导体激光在牙周病中应用及研究进展

版权：如无特殊注明，文章转载自网络，侵权请联系cnmhg168#163.com删除！文件均为网友上传，仅供研究和学习使用，务必24小时内删除。

半导体 ZnO 亚微米钉合成

半导体ZnO亚微米钉的合成与表征

微信公众号

小编微信