InSb/GaAs半导体界面结构研究

本文通过对InSb/GaAs半导体界面实验高分辨原子像的计算机定量化分析得到了界面位错区附近的晶格点阵畸变位移分布.基于该实验结果文中提出了InSb/GaAs半导体界面的结构互平衡界面结构模型.该界面模型合理地解释了界面位错的起因及InSb薄膜在GaAs基体上外延生长过程中的物理现象.计算机模拟的界面电子衍射谱和高分辨原子像与实验观察结果的一致性符合验证了所建立的界面模型的正确性.