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半导体量子器件物理讲座

期刊名字：物理
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论文作者：王良臣
作者单位：中国科学院半导体研究所
更新时间：2023-03-24
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论文简介

文章从异质界面的三角势阱中二维电子气的形成人手，计算了二维电子气的量子化能级及其面电子密度.对HEMT器件材料结构参数的优化、器件的电荷控制模型及I-V特性作了分析.

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二维电子气高电子迁移率晶体管势阱