掺杂透明导电半导体薄膜的光电性能研究

掺杂氧化锌透明导电膜(AZO)是一种重要的光电子信息材料,其制备方法有真空蒸镀法、磁控溅射法,化学气相沉积和脉冲激光沉积法等.该文采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺在普通玻璃基片上成功地制备出Al3+掺杂型ZnO透明导电薄膜.将这种薄膜在空气和真空中以不同的温度进行了退火处理,并对薄膜进行了XRD分析和光电性能研究.结果表明,所制备的薄膜为钎锌矿型结构,在c轴方向择优生长,真空退火有利于薄膜结晶状况的改善,并使薄膜的载流子浓度大幅度地增加而电阻率下降,并且真空退火对薄膜的透射率影响不大.