半导体激光光强分布的部分相干模型

激光远场光强分布一般与输出功率大小有关,在相同功率水平下,不同激光二极管的远场分布往往不同,因此需要一种模型能全面地描述不同半导体激光器在各种情况下的远场分布.根据半导体激光器发出的激光具有部分相干性和双光束的部分相干性原理,利用瑞利-索莫菲衍射积分公式,提出并推导得出了描述半导体激光远场分布的新理论模型.在激光二极管远场光强慢轴方向理论模型可表示为I(O,θ,z)=I0(z)cos4θ·[1+2γcos(4πα/λ sinθ+ψ]exp[-2π2/qλ2sin2θ],已观察到的远场光强分布与曲线符合得更准确.和已有的一些理论模型相比,新模型不但有可靠的推理论据,而且能够通过q、γ、ψ等参数的调整来描述不同激光二极管光强的远场分布.