VLP/CVD低温硅外延
- 期刊名字:微电子学
- 文件大小:
- 论文作者:谢自力,陈桂章,洛红,严军
- 作者单位:南京电子器件研究所,
- 更新时间:2023-03-31
- 下载次数:次
论文简介
研究了VLP/CVD低温硅外延生长技术.利用自制的VLP/CVD设备,在低温条件下,成功地研制出晶格结构完好的硅同质结外延材料.扩展电阻、X射线衍射谱和电化学分布研究表明,在低温下(T<800.C)应用VLP/CVD技术,可以生长结构完好的硅外延材料;且材料生长界面的杂质浓度分布更陡峭.
论文截图
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