铝阳极氧化膜的半导体特性

采用Mott-Schottky理论结合氧化膜点缺陷模型(PDM)研究了工业纯铝L2阳极氧化膜的半导体性质,分别计算了沸水封闭和重铬酸钾封闭后阳极氧化膜的施主浓度、氧空穴扩散系数及平带电位.结果表明,铝阳极氧化膜封闭前后都具有n型半导体性质,且施主浓度随着电压的升高呈指数递减.使用不同方法封闭的阳极氧化膜的氧空穴扩散系数为(1.12-5.53)×10-14 cm-2·s-1,封闭后阳极氧化膜平带电位降低.