GB/T 1555-2009半导体单晶晶向测定方法Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal

本标准代替GB/T1555-1997《半导体单晶晶向测定方法》。本标准与GB/T1555-1997相比,主要有如下变化:---增加了术语章;---增加了干扰因素章;---将原标准定向推荐腐蚀工艺中硅的腐蚀时间5min改为硅的腐蚀时间3min~5min。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。本标准主要起草人:杨旭、何兰英。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:---GB1555-1979、GB1556-1979、GB5254-1985、GB5255-1985、GB8759-1988;---GB/T1555-1997。