GB/T 6619-2009硅片弯曲度测试方法Test methods for bow of silicon wafers

本标准修改采用SEMIMF5340706《硅片弯曲度测试方法》。本标准与SEMIMF5340706相比,主要变化如下:---本标准接触式测量方法格式按GB/T1.1格式编排;---本标准根据我国实际生产情况增加了非接触式测量方法。本标准代替GB/T6619-1995《硅片弯曲度测试方法》。本标准与GB/T6619-1995相比,主要有如下变动:---扩大了可测量硅片范围为直径不小于25mm,厚度为不小于180μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片;---增加了引用文件、术语、意义用途、测量环境条件和干扰因素等章节;---修改了仪器校正的内容。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:洛阳单晶硅有限责任公司。本标准主要起草人:刘玉芹、蒋建国、冯校亮、张静雯。本标准所替代标准的历次版本发布情况为:---GB6619-1986、GB/T6619-1995。