GB/T 1551-2009硅单晶电阻率测定方法Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon

本标准修改采用SEMIMF84?1105《硅片电阻率测定四探针法》和SEMIMF397?1106《硅棒电阻率测定两探针法》。本标准与SEMIMF84?1105和SEMIMF397?1106相比,主要变化如下:---中厚度修正系数F(犠/犛)表格范围增加;---按中文格式分直排四探针法、直流两探针法进行编排。本标准代替GB/T1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》和GB/T1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法》。本标准与GB/T1551-1995和GB/T1552-1995相比,主要有如下变化:---删除了锗单晶测定的相关内容;---用文字描述代替了原标准GB/T1551-1995和GB/T1552-1995中的若干记录测试数据的表格;---修改了直排四探针法中计算公式;---补充了干扰因素。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。本标准主要起草人:李静、何秀坤、张继荣、段曙光。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:---GB1552-1979、GB1551-1979、GB5251-1985、GB5253-1985、GB6615-1986;---GB/T1551-1995、GB/T1552-1995。