GB/T 25188-2010硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy

标准简介

本标准由全国微束分析标准化技术委员会提出并归口。本标准起草单位:中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院。本标准起草人:刘芬、王海、赵良仲、宋小平、赵志娟、邱丽美。

标准截图

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