GB/T 24581-2022硅单晶中III、V族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法Test method for Ⅲ and V impurities content in single crystal silicon. Low temperature FT-IR analysis method

标准简介

本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的方法。本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、V族杂质铝(Al)、锑(Sb)、砷(As)、硼(B)、镓(Ga)、铟(In)和磷(P)含量的测定,各元素的测定范围(以原子数计)为1.0X10(10) cm-3~4.1X10(14) cm-3。

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