GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法 Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide

本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。
本标准适用于｛100｝、{111｝面砷化镓单晶位错密度的测试，测试范围为0cm^-2_~100000cm^-2。 GB/T 8760-2020 代替GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测试方法 Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide 2020-09-29发 布 2021-08-01实 施 鼹 鼷 魏 鞲 艘 髂 ‘ “ GB/T 8760-2020 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 一 　 前 　 　 　 　 　 而 　　本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草． 　　本标准代替GB/T 8760-2006《 砷化稼单晶位错密度的测量方法 》 ．本标准与GB/T 8760-2006 相比 ， 除编辑性修改外主要技术变化如下： 　　 — —修改了标准范围中的规定内容和适用范围 （ 见第1章 ， 2006年版的第1章 ） ‘ 　 　 — — 增 加 了 规 范 性 引 用 文 件 （ 见 第2章 ） ； 　　 — —删除