GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法 Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide

本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。
本文件适用于晶面偏离｛0001｝面、偏向＜1120＞方向0°~8°的碳化硅单晶位错密度的测试。GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法 Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide 2022-10-12发 布 2023-05-01实 施 国家市场监督管理总局‘j～～ 国家标准化管理委员会及『 GB/T 41765-2022 刖 胃 　　本文件按照GB/T 1.1-2020《 标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则 》 的规定 起草 。 　　请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。 本文件的发布机构不承担识别专利的责任 。 　　本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 （ SAC/TC 203） 与全国半导体设备和材料标准 化 技 术 委 员 会 材 料 分 技 术 委 员 会 （ SAC/TC 203/SC 2） 共 同 提 出 并 归 口 。 　　本文件起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司 、 有色金属技