半导体器件的长期贮存失效机理及加速模型

期刊名字：微电子学
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论文作者：罗俊，向培胜，赵胜雷，王毅，刘涛，陈光炳
作者单位：中国电子科技集团公司第二十四研究所,西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室,中国人民解放军驻重庆气体压缩机厂军代室,模拟集成电路重点实验室
更新时间：2023-03-25
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论文简介

加速应力试验是评价长期贮存一次性使用半导体器件贮存可靠性的最重要途径之一.针对半导体器件不同的失效机理,选择合理、准确的加速应力模型,是定量分析半导体器件贮存寿命的基础.介绍了半导体器件在长期贮存时的主要失效机理及其加速应力模型,给出了这些模型的适用条件.

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