GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片 Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit

本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200mm和300mm、晶向＜100＞、电阻
率0.1Ω·cm-100Ω·cm的Low-COP抛光片。GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑 　 　 　 　 　 硅 单 晶 抛 光 片 Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for 　　　　　　　　　　　　　　　integrated circuit 2022-03-09发 布 2022-10-01实 施 舱 胃 熬 毓 鞴 黯 欠 发 布 副 擤e‘： ！ 伪 GB/T 41325-2022 月 u旨 　　本文件按照GB/T 1.1-2020《 标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则 》 的规定 起草 。 　　请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。 本文件的发布机构不承担识别专利的责任 。 　　本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 （ SAC/TC 203） 与全国半导体设备