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81.
污水处理方法研究进展
[57%]
...特点,并着重介绍了光化学与光电协同催化技术,对二者
的
有机
结合应用提出了展望。关键词氧化技术特点应用中图分类号X703. 1文献标识码A文章编号1008 -9411(2008)06 -0024 -05目前,日益严重
的
水资源短缺和水环境污染困1.●0H是处理过...
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2020-07-09 15:51:42
82.
Zn添加剂
的
添加方式对镍
电极
性能
的
影响
[57%]
...HINESE JOURNAL OF APPLIED CHEMISTRYApr.2002Zn添加剂
的
添加方式对镍
电极
性能
的
影响常照荣*任行涛赵玉娟彭鹏(河南师范大学化学与环境科学学院新乡 453002)摘要通过外掺和共沉积方式制得不同含Zn量
的
镍
电极
,研究了不同加Zn方式对镍
电极
电...
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2020-12-06 21:11:24
83.
半导体放电管固体场畸变三
电极
开关
[56%]
半导体放电管固体场畸变三
电极
开关
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2023-03-25 00:16:02
84.
反馈放大电路
的
分析
[56%]
...图所示,对于一般共射放大电路而言,若反馈信号取自集
电极
为
电压
反馈,若取自发射极为电流反馈;对于共集
电极
电路,若图中A是基本放大电路,F是反馈网络,两部分构成一个闭反馈信号取自发射极为
电压
反馈,取自集
电极
则...
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2020-09-25 09:10:57
85.
光传送网络
的
优化
[56%]
...分析成功制备了沟道下方开硅
窗口
低缺陷、无台阶
的
.PSOI
材料
,并且制备了性能优良
的
PS0I3.1 关态击穿特性(栅极偏压0V )LDMOSFET器件。此结构不会影响埋氧层
的
隔离性图2描述击穿
电压
V与漂移区长度L。
的
关系。能,而且制备成本低...
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2020-09-30 09:14:00
86.
新型PSOI LDMOSFET
的
结构优化
[56%]
...分析成功制备了沟道下方开硅
窗口
低缺陷、无台阶
的
.PSOI
材料
,并且制备了性能优良
的
PS0I3.1 关态击穿特性(栅极偏压0V )LDMOSFET器件。此结构不会影响埋氧层
的
隔离性图2描述击穿
电压
V与漂移区长度L。
的
关系。能,而且制备成本低...
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2020-09-30 09:14:00
87.
JB/T 4279.8-1994 漆包绕组线试验仪器设备检定方法 软化击穿试验仪
[56%]
...量试验
电压
。5.5将可变电阻器与交流毫安表串接在两试验
电极
之间,逐渐调小电阻器
的
阻值,在试验仪发出击穿信号时,检查电流表示值.5.6两试验
电极
间接入交流毫安表,检查短路电流。5.7将试验仪调整到规定温度.进入恒温状态...
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2020-04-24 21:47:33
88.
电子电镀添加剂
的
分子设计
[56%]
...引起,从分子水平上设计
的
低吸附型镀锡添加剂可以减少
有机
分子
的
夹添加剂
的
作用主要是通过可控
的
电沉积过程对电杂。沉积层
的
性质和质量实现调控,主要包括形貌控制、关键词:电子电镀; 镀锡;添加剂;分子设计尺寸控制、...
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2020-12-06 21:11:24
89.
氯化钾镀锌添加剂
的
电化学性能
[56%]
...国PINE公司旋转圆盘
电极
装置上海常 采用添加强配位体或
有机
添加剂
的
方法。新研制
的
BH-51氯辰华仪器公司电化学工作站。化钾镀锌添加剂由载体光亮剂、辅助光亮剂和主光剂组成,可获2.2试验 条件得令人满意
的
镀锌层。( 1)极化...
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2020-12-09 22:57:44
90.
芬顿
的
原理与应用
[56%]
...加入了可以使EF氧化加速
的
照射和颗粒
的
物理化学性质、
有机
物降解等规律有必要进行紫外光,使整个反应过程中
的
中间产物可以降解,可分析得出结论。以使污染物完全矿化为CO2,从而缩短反应时间并且目前较为常见
的
是一体式阴...
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2020-06-12 15:46:40
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