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81. 光传送网络的优化 [66%]
...分析成功制备了沟道下方开硅窗口低缺陷、无台阶的.PSOI材料，并且制备了性能优良的PS0I3.1 关态击穿特性(栅极偏压0V )LDMOSFET器件。此结构不会影响埋氧层的隔离性图2描述击穿电压V与漂移区长度L。的关系。能，而且制备成本低...
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2020-09-30 09:14:00
82. 新型PSOI LDMOSFET的结构优化 [66%]
...分析成功制备了沟道下方开硅窗口低缺陷、无台阶的.PSOI材料，并且制备了性能优良的PS0I3.1 关态击穿特性(栅极偏压0V )LDMOSFET器件。此结构不会影响埋氧层的隔离性图2描述击穿电压V与漂移区长度L。的关系。能，而且制备成本低...
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2020-09-30 09:14:00
83. JB/T 4279.8-1994 漆包绕组线试验仪器设备检定方法 软化击穿试验仪 [66%]
...量试验电压。5.5将可变电阻器与交流毫安表串接在两试验电极之间,逐渐调小电阻器的阻值,在试验仪发出击穿信号时，检查电流表示值.5.6两试验电极间接入交流毫安表，检查短路电流。5.7将试验仪调整到规定温度.进入恒温状态...
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2020-04-24 21:47:33
84. 电子电镀添加剂的分子设计 [65%]
...引起，从分子水平上设计的低吸附型镀锡添加剂可以减少有机分子的夹添加剂的作用主要是通过可控的电沉积过程对电杂。沉积层的性质和质量实现调控，主要包括形貌控制、关键词:电子电镀; 镀锡;添加剂;分子设计尺寸控制、...
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2020-12-06 21:11:24
85. 氯化钾镀锌添加剂的电化学性能 [65%]
...国PINE公司旋转圆盘电极装置上海常 采用添加强配位体或有机添加剂的方法。新研制的BH-51氯辰华仪器公司电化学工作站。化钾镀锌添加剂由载体光亮剂、辅助光亮剂和主光剂组成，可获2.2试验 条件得令人满意的镀锌层。( 1)极化...
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2020-12-09 22:57:44
86. 芬顿的原理与应用 [65%]
...加入了可以使EF氧化加速的照射和颗粒的物理化学性质、有机物降解等规律有必要进行紫外光,使整个反应过程中的中间产物可以降解,可分析得出结论。以使污染物完全矿化为CO2,从而缩短反应时间并且目前较为常见的是一体式阴...
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2020-06-12 15:46:40
87. 热处理对聚乙烯性能的影响 [65%]
...，所用电场强度为30kV/mm,脉冲宽度为20ns,幅值为0~1kV.黄铜电极直径为25mmn,在试样两面真空喷涂铝电极，用硅油作声耦合剂，使试样电极和测量电极保持良好的声接触，每次采集空间电荷分布曲线时共重复三次，未发现分布曲线的...
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2020-09-28 16:47:12
88. JB/T 4279.12-1994 漆包绕组线试验仪器设备检定方法 低压漆膜连续性试验仪 [65%]
...器设备检定方法总则3检定项目与技术要求3.1试验仪毛毡 电极的有效长度应为20士2 mm.3.2试验电压应为直流 50士3 V.3.3试样通过毛毡 电极的速度应为15士1 m/min.3.4试验仪的检测灵敏度， 应符合下列规定:试样绝缘电阻小于10 k0时，继...
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2020-04-24 21:49:45
89. JB/T 7413-1994 携带式工业X射线探伤机 [65%]
...平称重。b.管头清洁度试验将管头内的油用滤纸过滤后,用有机溶液清洗滤纸并烘干,用毫克级天平称重。(变频、气绝缘机免测)5.29外 观质量检验:用目测法应在工厂的正常照明条件下和无任何辅助观察设备情况下进行。5.30泄漏检...
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2020-04-25 10:54:50
90. JB/T 10096-2000 电力半导体器件管壳结构及选用导则 [65%]
...品,目前ZL(KL)16及更大的管壳还有粗牙螺纹;b)螺栓形管壳的电极间绝缘通常有玻璃和陶瓷两种c)螺栓形管壳结构的基本特点是其螺栓部分与散热器螺孔紧密配合、实现器件与散热器的安装。这个特点的另一方面是螺栓形管壳的器件...
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2020-04-24 20:04:43